FDB2670
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDB2670 |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (max) | 93W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1320 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 19A (Ta) |
Grundproduktnummer | FDB267 |
FDB2670 Einzelheiten PDF [English] | FDB2670 PDF - EN.pdf |
FDB2572-NL VB
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
FAIRCHI TO-263
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
FAIRCHILD TO-263
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FAIRCHI TO-263
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
ON TO-263
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDB2570-NL F
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
FAIRCHILD SOT-263
MOSFET N-CH 150V 22A TO263AB
FAIRCHILD TO-263
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDB2670onsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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